原问题
：不用光刻机，不用若何制作5nm芯片？

最近 ，光刻芯片圈儿又有大往事了。何制

佳能搞出了个新的不用芯片制作配置装备部署，不用光刻技术，光刻就能造 5nm 的何制芯片  。

而且说是不用再优化优化 ， 2nm 制程也不是光刻啥大下场。

这可先把一众网友们搞懵圈儿了，何制佳能奈何样欠好好造相机，不用跑进去搞造芯片的光刻机械了？

而且一动手便是 5nm 、 2nm 的何制
。

而这，不用差评君就不患上不先帮佳能找补多少句了 ，光刻并不断以来，何制佳能在芯片制作配置装备部署上都有妄想，隔邻的尼康也是一个样。

不外当初光刻机的顶尖技术不断都被 ASML 独占 ，佳能眼看追不上，于是在钻研光刻机的同时
，又找了另一条赛道：纳米压印。

这次往事的主角
，也正是这个 “ 纳米压印 ” 技术
，反正新闻一出 ，吃瓜公共们的反映是最冷落的。

像是甚么“ 光刻机即将被取代，纳米压印战未来 ” “ ASML 这下要慌了，被换赛道超车了 ” 。 。。种种品评辩说看患上人一片沸腾，彷佛光刻机这玩意儿 ，之后只能在废品接管站里看到了似的。

差评君也去简陋清晰了一下，却发现使命比想象中的重大
，且幽默。

首先这些年来，光刻机的睁开已经逐渐走到一个瓶颈期，芯片制程的后退速率
，也肉眼可见患上变慢 。

不比力就不伤害
，反不雅睁开至今才二十多年的纳米压印技术，却是一个 “ 快 ” 字了患上
，噌噌多少年就快要遇上光刻机的进度了。

比力上个世纪五十年月起步的光刻技术
，速率直接翻了一倍多。

而且 ，新的纳米压印技术以及光刻机比照 ，不光老本也降了，致使制作工艺也贼重大，更适宜大规模破费。

这么说吧，用光刻技术造芯片
，总老本若是十块，光刻技术就患上花三块，光阴老本也占到总老本的一半 。

比力之下
，用纳米压印技术可能省掉快要三成的老本，若是晶圆吞吐量再提升一点，直接就能节约一泰半的老本。

更紧张的是
，纳米压印技术的工艺颇为重大，跟盖章同样 
，像下图这种印章列位差友们理当都见过概况玩过吧。

纳米压印的道理呢 ，以及它差未多少，只不外是迷你微缩版。

制作的历程总共就分两步 ，一步造 “ 印章 ” ，一步 “ 盖章 ” 。

先在刻好电路的底板上喷涂印章所需的质料，等凝聚后便是纳米压印的印章。

而后再在晶片上喷涂一层纳米压印胶，直接盖章、期待凝聚、脱模就 OK 了 。

在造印章、盖章的历程中 ，都不用交流工具，一个 “ 喷头 ” 就能搞定，时期惟独要替换概况的质料。

而隔邻需要折来折去的 EUV 光刻技术，不光要一个重大的透镜阵列来操作光线，而且要发生这个波长极短的极紫外光 ，还患上大功率反对于着 。

这样比力之下，纳米压印技术简直是集能耗小、工艺重大、配置装备部署轻捷等短处于一身 ，良多人都以为这会是最有可能替换 EUV 光刻的技术。

而且如今，纳米压印技术也已经睁开出了良多分支，光是压印方式就有三种：热压印
、紫外压印以及微打仗压印 ，其中紫外压印罕用在芯片制作中 ，在紫外光的映射下，压印胶很简略凝聚脱模 。

凭证固化方式 、压印面积中分类也衍生出了良多差距的工艺 。

这些工艺，除了造芯片之外，还能用在 LED 
、 OLED 、 AR 配置装备部署中 。

可能说，在纳米压印这块儿
，已经有百花齐放 ，步入慢车道的迹象了。

此外，全部芯片制作行业
，对于纳米压印技术的关注也良多。

从 2004 年开始 ，下面咱们提到的佳能 ，就开始偏远钻研起了纳米压印。2014 年它笼络了美国的一家纳米压印公司 Molecular Imprints（ 份子压模 ）  ，正式宣告进入纳米压印市场。

其后，它还以及东芝（ 如今的铠侠 ）相助，豫备用纳米压印技术造 3D NAND 闪存，三星在买 EUV 配置装备部署的同时 ，也还在入手妨碍纳米压印技术的研发 。

就连 SK 海力士也从佳能那边买了纳米压印配置装备部署，豫备搞 3D NAND 闪存破费测试，并妄想在 2025 年实现大规模量产。

假如能顺遂实现商业化的话， 200 层以上的 3D NAND 闪存破费功能会大猛后退
。

到时候
 ，用纳米压印技术造 DRAM 、 CPU 等芯片做作也就不远了。

在国内
，纳米压印的市场也是睁开患上火热 ，良多高校像复旦
、北大等都有相关的钻研。头多少天佳能官宣自家的纳米压印配置装备部署之后
，还顺带拉动了国内相关意见股
，汇创达盘中一度涨超 14%
。

国内的一些上市企业，好比美凯迪、奥比中光 、腾景科技等也都在纳米压印相关行业有所妄想，而且还在不断搞相关技术的研发 。

前期
，市场火热最直不雅的展现便是在专利上 ，当初国外在纳米压印技术相关专利总数上排名第二 ，占比全天下总数的 16% 。

以是说纳米压印技术，妥妥是当初确当红辣子鸡。

不外在差评君心田尚有个疑团，纳米压印技术这么重大，一句话就能批注显晰道理，为啥这么晚才被钻研 ，不理当早就运用了吗 ？

于是我又回偏激子细钻研了下纳米压印的工艺流程，发现纳米压印这技术 ，在一起头就卡了个大 BUG 。

而这 BUG ，也算是解答了差评君的疑难，那便是：光刻机事实会不会被取代、被扩展 ？

还拿盖章章的例子来说，用这种措施做芯片，第一步首先患上做印章吧，但纳米压印做那个 “ 印章 ” 的模具是 1 ：1 的。

但要奈何样 “ 挖出 ” 印章里这种纳米级的沟道 ？

（ 舒适揭示 ：当初便是由于挖不出纳米级的沟道才搞出的光刻机，用 5 ：1 致使 10
：1 淘汰后的电路板光刻。 ）

以是能供纳米压印抉择的要末是光刻 ，要末便是试验室里的电子束曝光以及聚焦离子束。

e妹妹m 合着这一圈儿又回到尽头了。 。。

不外幸好那个做印章的 “ 模具 ” 可能一再运用 ，不用大批破费，也算是另一种方式的节约老本，否则真便是脱裤子放屁。

尽管 ，除了这个大 BUG 外，纳米压印尚有良多的技术难题等着处置 。

艰深咱们自己玩印章的时候都防止不了印的不屈均 ，概况缺边少角的。

而在纳米尺度下的纳米压印技术，这些情景就更不能防止了，像下面这些双方高度不一 、印章变形、不残缺适宜的天气都是很罕有的残次品。

要防止这些残次品的泛起，就患上在技术高下功夫。

首先便是喷涂历程
，也便是在晶片上喷涂纳米压印胶，在这个历程中，喷涂的厚度、平均度等都有着严厉的要求，而且还不能有气泡、灰尘进入
，一旦进入直接就报废了 。 。。

处置措施当初都是在压印历程下功夫，部份加热不屈均的部份 ，好让印章以及印胶详尽贴合。

尚有便是脱模历程 ，为了能让压印胶更好的脱模 ，业内艰深都市在胶下面搞上一层纳米级此外抗粘性质料。

这尽管好脱模了  ，但这种抗粘性质料还会以及模具爆发磨擦啥的，模具的寿命也会因此延迟 。

此外尚有压印胶质料 、模具质料的抉择，模具定位及套刻精度，精确操作等等一系列下场 。

这些零星的技术难题，展现到产物上便是良率的下场。

以是 ，要实现纳米压印芯片量产就绕不开这些下场，而要处置这些下场，大批的研发以及试错老本少不了 ，这所有 ，都需要光阴来反对于。

最后，再回到收尾说的纳米压印能不能取代光刻机的下场上 。

信托看到这里的同伙们心田思应都有谜底了
：确定不会 ，事实纳米压印在第一步就绕不开光刻技术 
。

更紧张的是，差评君感应，这两种技术之间的关连并非非此即彼，与其说纳米压印会取代光刻机，不如说纳米压印是光刻技术的缩短。

就像二十世纪通用机床同样 ，一起头它们只破费产物 ，其后转向破费专用工具，专用工具再破费产物，不光扩展了产能，还飞腾了老本 。

概况未来有一天 ，光刻机也会迎来这样的脚色转变 ，到时候 ，说不定芯片制作业，已经实现了新一轮的刷新 。

撰文
：松鼠 编纂 ：江江&鹤然 封面 ：焕妍

图片
、质料源头：

果壳硬科技 | 纳米压印光刻
，能让国产绕过 ASML 吗

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责任编纂 ：